SI4542DY

SI4542, SI4542DY

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSI4542DY
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9мм ширина)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
830 пФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N and P-Channel
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<28 мОмId, Vgs = 6A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
13 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Standard
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2