На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI4501ADY-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <1.3 Вт |
Постоянный ток стока | IDSS | <6.3 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <18 мОмId, Vgs = 8.8A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 20 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <4.1 А |