На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI1563DH-T1-E3 | SI1563EDH-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <570 мВт | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <1.13 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <280 мОмId, Vgs = 1.13A, 4.5V | |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® | |
Заряд затвора | QG | 2 нCVgs = 4.5V | 1 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <880 мА | |