На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI1029X-T1-E3 | SI1029X-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <250 мВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 30 пФVds = 25V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <305 мА | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3 ОмId, Vgs = 200mA, 4.5V | <1.4 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 750 пCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <190 мА | |