На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI1025X-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <250 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 23 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <190 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 1.7 нCVgs = 15V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |