На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | QS6K1TR | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TSMT6 |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <1.25 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 77 пФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <238 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V |
Заряд затвора | QG | 2.4 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |