На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PMWD16UN,518 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-TSSOP |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <3.1 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.366 нФVds = 16V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <9.9 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <19 мОмId, Vgs = 3.5A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchMOS™ |
Заряд затвора | QG | 23.6 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |