На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTZD3155CT1G | NTZD3155CT2G | NTZD3155CT5G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-563 | ||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <250 мВт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 150 пФVds = 16V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <540 мА | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <550 мОмId, Vgs = 540mA, 4.5V | ||
Заряд затвора | QG | 2.5 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <430 мА | ||