На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTMD6N04R2G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <1.29 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 900 пФVds = 32V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <40 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <4.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <34 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V |
Заряд затвора | QG | 30 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |