На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTMD4N03R2 | NTMD4N03R2G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <2 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 400 пФVds = 20V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <4 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <60 мОмId, Vgs = 4A, 10V | |
Заряд затвора | QG | 16 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |