На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTMD3P03R2G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <730 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 750 пФVds = 24V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <2.34 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <85 мОмId, Vgs = 3.05A, 10V |
Заряд затвора | QG | 25 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |