На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTLJD2105LTBG | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-WDFN |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <520 мВт |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <8 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <2.5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <50 мОмId, Vgs = 4A, 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |