На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTJD5121NT1G | NTJD5121NT2G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | (не задано) |
Мощность | P | <250 мВт | (не задано) |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 26 пФVds = 20V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | (не задано) |
Постоянный ток стока | IDSS | <295 мА | (не задано) |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | (не задано) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 900 пCVgs = 4.5V | (не задано) |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | (не задано) |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |