На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTJD4152PT1 | NTJD4152PT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <272 мВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 155 пФVds = 20V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <880 мА | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <260 мОмId, Vgs = 880mA, 4.5V | |
Заряд затвора | QG | 2.2 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |