NTJD3158CT1G

NTJD3158, NTJD3158CT1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTJD3158CT1G
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<270 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
46 пФVds = 20V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<630 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
N and P-Channel
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<375 мОмId, Vgs = 630mA, 4.5V
Заряд затвора
QG
3 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Постоянный ток стока второго транзистора
IDSS2
<820 мА