На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTJD2152PT1 | NTJD2152PT1G | NTJD2152PT2 | NTJD2152PT2G | NTJD2152PT4 | NTJD2152PT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <270 мВт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 225 пФVds = 8V | |||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <8 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <775 мА | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <300 мОмId, Vgs = 570mA, 4.5V | |||||
Заряд затвора | QG | 4 нCVgs = 4.5V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||||