NTJD1155L

NTJD1155L, NTJD1155LT1, NTJD1155LT1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTJD1155LT1NTJD1155LT1G
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<400 мВт
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<8 В
Постоянный ток стока
IDSS
<1.3 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N and P-Channel
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<175 мОмId, Vgs = 1.2A, 4.5V
FET Feature
FET Feature
Standard
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2