NTHD5905T1

NTHD5905, NTHD5905T1

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTHD5905T1
Корпус микросхемы
Корпус
8-ChipFET™
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1.1 Вт
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<8 В
Постоянный ток стока
IDSS
<3 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
2 P-Channel (Dual)
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<90 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
Заряд затвора
QG
9 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2