На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTHD4401PT1 | NTHD4401PT1G | NTHD4401PT3 | NTHD4401PT3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-ChipFET™ | 8-ChipFET™ | ChipFET | 8-ChipFET™ |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <1.1 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 300 пФVds = 10V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <2.1 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <155 мОмId, Vgs = 2.1A, 4.5V | |||
Заряд затвора | QG | 6 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||