На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTHD4102PT1 | NTHD4102PT1G | NTHD4102PT3G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-ChipFET™ | 8-ChipFET™ | ChipFET |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <1.1 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 750 пФVds = 16V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <2.9 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V | ||
Заряд затвора | QG | 8.6 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||