На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTHD3100CT1 | NTHD3100CT1G | NTHD3100CT3 | NTHD3100CT3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-ChipFET™ | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <1.1 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 165 пФVds = 10V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <2.9 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V | |||
Заряд затвора | QG | 2.3 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <3.2 А | |||