На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTHD2102PT1 | NTHD2102PT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-ChipFET™ | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.1 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 715 пФVds = 6.4V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <8 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <3.4 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <58 мОмId, Vgs = 3.4A, 4.5V | |
Заряд затвора | QG | 16 нCVgs = 2.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |