На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMDF2P02ER2 | MMDF2P02ER2G | MMDF2P02HDR2 | MMDF2P02HDR2G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <2 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 475 пФVds = 16V | 475 пФVds = 16V | 588 пФVds = 16V | 588 пФVds = 16V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | <25 В | <20 В | <20 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <2.5 А | <2.5 А | <3.3 А | <3.3 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <250 мОмId, Vgs = 2A, 10V | <250 мОмId, Vgs = 2A, 10V | <160 мОмId, Vgs = 2A, 10V | <160 мОмId, Vgs = 2A, 10V |
Заряд затвора | QG | 15 нCVgs = 10V | 15 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||