MMDF2C03

MMDF2C03, MMDF2C03HDR2, MMDF2C03HDR2G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMDF2C03HDR2MMDF2C03HDR2G
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9мм ширина)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
630 пФVds = 24V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<4.1 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N and P-Channel
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<70 мОмId, Vgs = 3A, 10V
Заряд затвора
QG
16 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Постоянный ток стока второго транзистора
IDSS2
<3 А