На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF8513PBF | IRF8513TRPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC | |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.5 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 766 пФVds = 15V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <8 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <15.5 мОмId, Vgs = 8A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 8.6 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <11 А | |
Постоянная мощность, рассеяния второго транзистора | P2 | <2.4 Вт | |