На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7910PBF | IRF7910TRPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | SO-8 |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <2 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.73 нФVds = 6V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <12 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <15 мОмId, Vgs = 8A, 4.5V | |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |
Заряд затвора | QG | 26 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |