На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7756GTRPBF | IRF7756TR | IRF7756TRPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-TSSOP | ||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <1 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.4 нФVds = 10V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <12 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <4.3 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <40 мОмId, Vgs = 4.3A, 4.5V | ||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||
Заряд затвора | QG | 18 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||