На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7752GTRPBF | IRF7752TR | IRF7752TRPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-TSSOP | ||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <1 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 861 пФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <4.6 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <30 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||
Заряд затвора | QG | 9 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||