На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7380PBF | IRF7380QPBF | IRF7380QTRPBF | IRF7380TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | SO-8 | SO-8 |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <2 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 660 пФVds = 25V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <80 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <3.6 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <73 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V | |||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||
Заряд затвора | QG | 23 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||