На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7379IPBF | IRF7379PBF | IRF7379QPBF | IRF7379QTRPBF | IRF7379TR | IRF7379TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), SO-8 | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <2.5 Вт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 520 пФVds = 25V | |||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <5.8 А | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <45 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V | |||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||||
Заряд затвора | QG | 25 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||||
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <4.3 А | |||||