На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7342PBF | IRF7342QPBF | IRF7342QTRPBF | IRF7342TR | IRF7342TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), SO-8 | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Мощность | P | <2 Вт | ||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 690 пФVds = 25V | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <3.4 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <105 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V | ||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||
Заряд затвора | QG | 38 нCVgs = 10V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||||