На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7341IPBF | IRF7341PBF | IRF7341QPBF | IRF7341QTRPBF | IRF7341TR | IRF7341TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), SO-8 | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <2 Вт | <2 Вт | <2.4 Вт | <2.4 Вт | <2 Вт | <2 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 740 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V | 780 пФVds = 25V | 780 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <4.7 А | <4.7 А | <5.1 А | <5.1 А | <4.7 А | <4.7 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <50 мОмId, Vgs = 4.7A, 10V | <50 мОмId, Vgs = 4.7A, 10V | <50 мОмId, Vgs = 5.1A, 10V | <50 мОмId, Vgs = 5.1A, 10V | <50 мОмId, Vgs = 4.7A, 10V | <50 мОмId, Vgs = 4.7A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||||
Заряд затвора | QG | 36 нCVgs = 10V | 36 нCVgs = 10V | 44 нCVgs = 10V | 44 нCVgs = 10V | 36 нCVgs = 10V | 36 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||||