На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7338PBF | IRF7338TRPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | SO-8 |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <2 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 640 пФVds = 9V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <12 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <6.3 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <34 мОмId, Vgs = 6A, 4.5V | |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |
Заряд затвора | QG | 8.6 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <3 А | |