На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7319PBF | IRF7319TR | IRF7319TRPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | ||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <2 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 650 пФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <6.5 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <29 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||
Заряд затвора | QG | 33 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <4.9 А | ||