На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7314PBF | IRF7314QPBF | IRF7314QTRPBF | IRF7314TR | IRF7314TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), SO-8 | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Мощность | P | <2 Вт | <2.4 Вт | <2.4 Вт | <2 Вт | <2 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 780 пФVds = 15V | 913 пФVds = 15V | 913 пФVds = 15V | 780 пФVds = 15V | 780 пФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <5.3 А | <5.2 А | <5.2 А | <5.3 А | <5.3 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <58 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V | <58 мОмId, Vgs = 5.2A, 4.5V | <58 мОмId, Vgs = 5.2A, 4.5V | <58 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V | <58 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||
Заряд затвора | QG | 29 нCVgs = 4.5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||||