IRF7309

IRF7309, IRF7309IPBF, IRF7309PBF, IRF7309QPBF, IRF7309QTRPBF, IRF7309TR, IRF7309TRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF7309IPBFIRF7309PBFIRF7309QPBFIRF7309QTRPBFIRF7309TRIRF7309TRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC (3.9мм ширина), SO-88-SOIC (3.9мм ширина), SO-88-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1.4 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
520 пФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<4 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N and P-Channel
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<50 мОмId, Vgs = 2.4A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
25 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Standard
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Постоянный ток стока второго транзистора
IDSS2
<3 А