На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7103IPBF | IRF7103PBF | IRF7103Q | IRF7103QTR | IRF7103QTRPBF | IRF7103TR | IRF7103TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), SO-8 | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина), 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Мощность | P | <2 Вт | <2 Вт | <2.4 Вт | <2.4 Вт | <2.4 Вт | <2 Вт | <2 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 290 пФVds = 25V | 290 пФVds = 25V | 255 пФVds = 25V | 255 пФVds = 25V | 255 пФVds = 25V | 290 пФVds = 25V | 290 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <50 В | ||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <3 А | ||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | ||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <130 мОмId, Vgs = 3A, 10V | ||||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||||
Заряд затвора | QG | 30 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V | 15 нCVgs = 10V | 15 нCVgs = 10V | 15 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||||||