На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HCT802TX | HCT802TXV | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Non-Standard SMD | |
Производитель | Производитель | TT Electronics/Optek Technolog | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <500 мВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 70 пФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <90 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <2 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5 ОмId, Vgs = 1A, 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <1.1 А | |