На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | GWM160-0055X1-SL | GWM160-0055X1-SLSAM | GWM160-0055X1-SMD | GWM160-0055X1-SMDSAM | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Through Hole | Through Hole | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж |
Производитель | Производитель | IXYS | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <150 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.3 мОмId, Vgs = 100A, 10V | |||
Заряд затвора | QG | 105 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 6 | |||