На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | GWM160-0055P3 | |
|---|---|---|
Производитель | Производитель | IXYS |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <160 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3 мОмId, Vgs = 100A, 10V |
Заряд затвора | QG | 90 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 6 |