FDW2520

FDW2520, FDW2520C

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDW2520C
Корпус микросхемы
Корпус
8-TSSOP
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<600 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.325 нФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N and P-Channel
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<18 мОмId, Vgs = 6A, 4.5V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
20 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Постоянный ток стока второго транзистора
IDSS2
<4.4 А