На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDS8960C | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <900 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 570 пФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <35 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <7 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <24 мОмId, Vgs = 7A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PowerTrench® |
Заряд затвора | QG | 7.7 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <5 А |