FDS8858

FDS8858, FDS8858CZ

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDS8858CZ
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9мм ширина)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<900 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.205 нФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<8.6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N and P-Channel
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<17 мОмId, Vgs = 8.6A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
24 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Постоянный ток стока второго транзистора
IDSS2
<7.3 А