FDS4897

FDS4897, FDS4897AC, FDS4897C

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDS4897ACFDS4897C
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9мм ширина)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<900 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.055 нФVds = 20V760 пФVds = 20V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<40 В
Постоянный ток стока
IDSS
<6.1 А<6.2 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N and P-Channel
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<26 мОмId, Vgs = 6.1A, 10V<29 мОмId, Vgs = 6.2A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
21 нCVgs = 10V20 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Постоянный ток стока второго транзистора
IDSS2
<5.2 А<4.4 А