FDS3601

FDS3601

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDS3601
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9мм ширина)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<900 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
153 пФVds = 50V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<1.3 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
2 N-Channel (Dual)
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<480 мОмId, Vgs = 1.3A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
5 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2