На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDG6332C | FDG6332C_F085 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <300 мВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 113 пФVds = 10V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <700 мА | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <300 мОмId, Vgs = 700mA, 4.5V | |
Серия MOSFET | Серия | PowerTrench® | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 1.5 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <600 мА | |