На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | EM6K1T2R | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | EMT6 |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <150 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 13 пФVds = 5V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <100 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8 ОмId, Vgs = 10mA, 4V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |