ECH8651R

ECH8651R, ECH8651R-TL-H

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрECH8651R-TL-H
Производитель
Производитель
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1.4 Вт
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<24 В
Постоянный ток стока
IDSS
<10 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
2 N-Channel (Dual)
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<14 мОмId, Vgs = 5A, 4.5V
Заряд затвора
QG
24 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2