На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | ECH8619-TL-E | |
|---|---|---|
Производитель | Производитель | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <1.3 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 560 пФVds = 20V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <3 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N and P-Channel |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <93 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V |
Заряд затвора | QG | 12.8 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |
Постоянный ток стока второго транзистора | IDSS2 | <2 А |