DMN5L06DMK-7

DMN5L06, DMN5L06DMK-7, DMN5L06DW-7, DMN5L06DWK-7, DMN5L06V-7, DMN5L06VA-7, DMN5L06VAK-7, DMN5L06VK-7

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDMN5L06DMK-7DMN5L06DW-7DMN5L06DWK-7DMN5L06V-7DMN5L06VA-7DMN5L06VAK-7DMN5L06VK-7
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-26SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SOT-563SOT-563SOT-563SOT-563
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<400 мВт<200 мВт<250 мВт<150 мВт<150 мВт<250 мВт<250 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
50 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<50 В
Постоянный ток стока
IDSS
<305 мА<280 мА<305 мА<280 мА<280 мА<280 мА<280 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
2 N-Channel (Dual)
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<2 ОмId, Vgs = 50mA, 5V<3 ОмId, Vgs = 200mA, 2.7V<2 ОмId, Vgs = 50mA, 5V<3 ОмId, Vgs = 200mA, 2.7V<3 ОмId, Vgs = 200mA, 2.7V<2 ОмId, Vgs = 50mA, 5V<2 ОмId, Vgs = 50mA, 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2